| 技术参数 | 1. 传感器类型：背照式、深耗尽、eXcelon镀膜
2. 靶面大小≥1024 * 1024 ，成像面积≥13.3 mm*13.3 mm，100%填充因子
3. 像素尺寸≥13 um*13 um
4. 满井容量 ≥100 ke-@单像素，≥250 ke- @输出饱和
5. 纵向转移速度：3.2–18 微秒/行
6. *读出噪声：≤ 3 e-@100 kHz ，≤ 9 e-@2 MHz
7. *峰值量子效率：≥95%，量子效率≥70%（557.7nm，630.0nm，892.0nm）
8. 制冷方式：风冷，最低制冷温度≤-70℃
9. 传感器温度准确性：±0.05℃
10. 非线性度：
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